Samsung демонстрирует DDR-4 на IDF-2012
14.09.2012
На проходящем в эти дни Intel Developments Forum, компания Samsung, которая традиционно является "передовиком" на рынке оперативной памяти, представила полностью рабочие образцы оперативной памяти нового поколения - DDR-4. Основные отличия памяти нового поколения, которое по планам должно сменить текущую DDR-3 уже к 2015 году, это уменьшенное энергопотребление, сниженное до 1.2 вольта напряжение (у DDR-3 - 1.5 вольта), и более высокие частоты. Конечно пока DDR-3 быстрее, но это временно. Первые же продемонстрированные Samsung образцы работают на частоте 2133 мегагерц, и это притом, что модуль имеет объем 16 гигабайт! Его фотографией нас порадовал сайт MyDrivers.com
В плане Samsung, который также был продемонстрирован, значится постепенное увеличение частот, которое позволит компании подготовится к выходу новых поколений процессоров в поддержкой DDR-4, и представить, к тому времени, весьма быстрые решения.
В следующем году они намерены добится от своих прототипов стабильной работы на частоте 2400 мегагерц, через год покорить 266 мегегарц, ну а выход в розничную продажу осуществить с полноценными модулями работающими на частоте 3200 мегагерц. Кстати, такая частота памяти, при использовании двухканального контроллера позволит достичь пропускной способности в 51.2 гигабайта в секунду. У стандартных ныне DDR3-1600 пропускная способность составляет 25.6 гигабайт в секунду. Похожие материалы:
Комментировать